SIRA80DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2288120-SIRA80DP-T1-RE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIRA80DP-T1-RE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 | |
| Basisproduktnummer | SIRA80 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.62mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 188 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Max) | +20V, -16V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 9530 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 104W (Tc) | |
| Andere Namen | SIRA80DP-T1-RE3TR SIRA80DP-T1-RE3CT SIRA80DP-T1-RE3DKR |
In stock Brauche mehr?
0,87510 $
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SI7633DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SIRA00DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR500DP-T1-RE3Vishay Siliconix
TPHR6503PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SIRA20DP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIRA90DP-T1-RE3Vishay Siliconix