G3R30MT12J

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7

NOVA-Teilenummer:

312-2263618-G3R30MT12J

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

G3R30MT12J

Standardpaket:

Technisches Datenblatt:

N-Channel 1200 V 96A (Tc) 459W (Tc) Surface Mount TO-263-7

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
RoHS	1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-263-7
Basisproduktnummer	G3R30
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	G3R™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	96A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.69V @ 12mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	155 nC @ 15 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (Max)	±15V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	3901 pF @ 800 V
Verlustleistung (max.)	459W (Tc)
Andere Namen	1242-G3R30MT12J