SCTH70N120G2V-7

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SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

NOVA-Teilenummer:

312-2297764-SCTH70N120G2V-7

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SCTH70N120G2V-7

Standardpaket:

1,000

Technisches Datenblatt:

N-Channel 1200 V 90A (Tc) 469W (Tc) Surface Mount H2PAK-7

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	STMicroelectronics
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	H2PAK-7
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	90A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 18 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (Max)	+22V, -10V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	3540 pF @ 800 V
Verlustleistung (max.)	469W (Tc)
Andere Namen	497-SCTH70N120G2V-7DKR 497-SCTH70N120G2V-7TR 497-SCTH70N120G2V-7CT