SCTH90N65G2V-7
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
NOVA-Teilenummer:
312-2283890-SCTH90N65G2V-7
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SCTH90N65G2V-7
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 90A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | H2PAK-7 | |
| Basisproduktnummer | SCTH90 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 90A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 18 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Max) | +22V, -10V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3300 pF @ 400 V | |
| Verlustleistung (max.) | 330W (Tc) | |
| Andere Namen | 497-18352-6 497-18352-2 497-18352-1 |
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