NTMS4920NR2G
MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
NOVA-Teilenummer:
312-2301206-NTMS4920NR2G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NTMS4920NR2G
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 30 V 10.6A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOIC | |
| Basisproduktnummer | NTMS4920 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10.6A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 7.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 58.9 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4068 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 820mW (Ta) | |
| Andere Namen | NTMS4920NR2G-ND NTMS4920NR2GOSTR NTMS4920NR2GOSDKR NTMS4920NR2GOSCT ONSONSNTMS4920NR2G 2156-NTMS4920NR2G-OS |
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