IPT111N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
NOVA-Teilenummer:
312-2283613-IPT111N20NFDATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPT111N20NFDATMA1
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 200 V 96A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-HSOF-8-1 | |
| Basisproduktnummer | IPT111 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 96A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 96A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 267µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerSFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 7000 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) | |
| Andere Namen | IPT111N20NFDATMA1TR IPT111N20NFDATMA1DKR IPT111N20NFDATMA1CT SP001340384 IPT111N20NFDATMA1-ND |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
FDBL86210-F085onsemi
BSC220N20NSFDATMA1Infineon Technologies
BSC160N15NS5ATMA1Infineon Technologies
NTBLS4D0N15MConsemi
IPT059N15N3ATMA1Infineon Technologies
BSC350N20NSFDATMA1Infineon Technologies
EPC2215EPC
BSC014N06NSSCATMA1Infineon Technologies- IPTG111N20NM3FDATMA1Infineon Technologies
