BSP613PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
NOVA-Teilenummer:
312-2281349-BSP613PH6327XTSA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSP613PH6327XTSA1
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 60 V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-SOT223-4 | |
| Basisproduktnummer | BSP613 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.9A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 875 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) | |
| Andere Namen | BSP613PH6327XTSA1TR BSP613PH6327XTSA1CT BSP613PH6327XTSA1DKR SP001058788 |
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