FQD20N06TM

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	onsemi
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-252AA
Basisproduktnummer	FQD20N06
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	QFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	16.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±25V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	590 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 38W (Tc)
Andere Namen	FQD20N06TMDKR FQD20N06TMCT FQD20N06TMTR FQD20N06TM-ND

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