SUD19N20-90-E3
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
NOVA-Teilenummer:
312-2282996-SUD19N20-90-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SUD19N20-90-E3
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252AA | |
| Basisproduktnummer | SUD19 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 19A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1800 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Ta), 136W (Tc) | |
| Andere Namen | SUD19N20-90-E3TR SUD19N2090E3 SUD19N20-90-E3DKR SUD19N20-90-E3CT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
LT1716IS5#TRMPBFAnalog Devices Inc.
IRFR3710ZTRPBFInfineon Technologies
SUD19N20-90-BE3Vishay Siliconix- FDD18N20LZonsemi
LTC4355IS#PBFAnalog Devices Inc.
IRFR9120PBFVishay Siliconix- SUD19N20-90-T4-E3Vishay Siliconix
STD20NF20STMicroelectronics
DMG301NU-13Diodes Incorporated
MMBTA56LT1Gonsemi
