IRFR3710ZTRPBF

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	D-Pak
Basisproduktnummer	IRFR3710
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	42A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2930 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	140W (Tc)
Andere Namen	IRFR3710ZTRPBFTR IRFR3710ZTRPBF-ND IRFR3710ZTRPBFCT Q9351872 SP001560638 IRFR3710ZTRPBFDKR

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