TPH1110FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
NOVA-Teilenummer:
312-2273100-TPH1110FNH,L1Q
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TPH1110FNH,L1Q
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 250 V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Basisproduktnummer | TPH1110 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1100 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta), 57W (Tc) | |
| Andere Namen | TPH1110FNH,L1QDKR-ND TPH1110FNHL1QCT TPH1110FNH,L1QCT-ND TPH1110FNH,L1QDKR TPH1110FNH,L1Q(M TPH1110FNHL1QTR TPH1110FNH,L1QTR-ND TPH1110FNH,L1QCT TPH1110FNH,L1QTR TPH1110FNHL1QDKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
TPN2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
BSC670N25NSFDATMA1Infineon Technologies
TPH5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SI7172ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon Technologies- BSC900N20NS3GATMA1Infineon Technologies
IRFH5025TRPBFInfineon Technologies- SI7190DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI7190ADP-T1-RE3Vishay Siliconix