TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
NOVA-Teilenummer:
312-2287930-TPN2010FNH,L1Q
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TPN2010FNH,L1Q
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 250 V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Basisproduktnummer | TPN2010 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.6A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198mOhm @ 2.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 600 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta), 39W (Tc) | |
| Andere Namen | TPN2010FNHL1QCT TPN2010FNHL1QTR TPN2010FNH,L1Q(M TPN2010FNHL1QDKR |
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