IPB025N10N3GATMA1

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MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

NOVA-Teilenummer:

312-2283565-IPB025N10N3GATMA1

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

IPB025N10N3GATMA1

Standardpaket:

1,000

Technisches Datenblatt:

N-Channel 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO263-7
Basisproduktnummer	IPB025
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	180A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 275µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	14800 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Andere Namen	IPB025N10N3GATMA1DKR IPB025N10N3G IPB025N10N3 GDKR-ND IPB025N10N3 G IPB025N10N3GATMA1CT IPB025N10N3 GTR IPB025N10N3 GTR-ND IPB025N10N3 G-ND SP000469888 IPB025N10N3 GCT-ND IPB025N10N3GATMA1TR IPB025N10N3 GDKR IPB025N10N3 GCT