FDB1D7N10CL7
MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2312006-FDB1D7N10CL7
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDB1D7N10CL7
Standardpaket:
800
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D2PAK (TO-263) | |
| Basisproduktnummer | FDB1D7 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 268A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.65mOhm @ 100A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 700µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 163 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 11600 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
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