IXFN60N80P

MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
NOVA-Teilenummer:
312-2263637-IXFN60N80P
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IXFN60N80P
Standardpaket:
10
Technisches Datenblatt:

N-Channel 800 V 53A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerIXYS
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten SOT-227B
Basisproduktnummer IXFN60
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieHiPerFET™, Polar
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 53A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferSOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max)±30V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)800 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 18000 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.) 1040W (Tc)

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