BVSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
NOVA-Teilenummer:
312-2284349-BVSS123LT1G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BVSS123LT1G
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Basisproduktnummer | BVSS123 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 170mA (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 100mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 20 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 225mW (Ta) | |
| Andere Namen | 2156-BVSS123LT1G-OS BVSS123LT1GOSDKR BVSS123LT1GOSCT BVSS123LT1GOSTR BVSS123LT1G-ND ONSONSBVSS123LT1G |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- PMEG10010ELRXNexperia USA Inc.
- BVSS84LT1Gonsemi
- MMFTN123Diotec Semiconductor
- BSS123TADiodes Incorporated
- BSS123-7-FDiodes Incorporated
- ZXMP10A13FQTADiodes Incorporated
- SQ2325ES-T1_GE3Vishay Siliconix
- BSS123Lonsemi
- BSS123LT1Gonsemi
- MMBT7002KDiotec Semiconductor
- INA240A2QPWRQ1Texas Instruments
- DMN10H220L-7Diodes Incorporated







