SQ2325ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
NOVA-Teilenummer:
312-2285455-SQ2325ES-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQ2325ES-T1_GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 150 V 840mA (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TA) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Basisproduktnummer | SQ2325 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 840mA (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.77Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 250 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SQ2325ES-T1_GE3DKR 742-SQ2325ES-T1_GE3CT SQ2325ES-T1_GE3CT 742-SQ2325ES-T1_GE3TR SQ2325ES-T1_GE3TR SQ2325ES-T1_GE3CT-ND SQ2325ES-T1_GE3TR-ND |
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