IRF630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
NOVA-Teilenummer:
312-2288529-IRF630PBF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IRF630PBF
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB | |
| Basisproduktnummer | IRF630 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 800 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 74W (Tc) | |
| Andere Namen | *IRF630PBF |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- IRF9630PBFVishay Siliconix
- IRF630STMicroelectronics
- IRF630PBF-BE3Vishay Siliconix



