IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
NOVA-Teilenummer:
312-2291223-IPD80R2K8CEATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPD80R2K8CEATMA1
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3 | |
| Basisproduktnummer | IPD80R2 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ CE | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.9A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 1.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 290 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 42W (Tc) | |
| Andere Namen | INFINFIPD80R2K8CEATMA1 SP001130970 IPD80R2K8CEATMA1-ND 2156-IPD80R2K8CEATMA1 IPD80R2K8CEATMA1CT IPD80R2K8CEATMA1DKR IPD80R2K8CEATMA1TR |
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