IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
NOVA-Teilenummer:
312-2290401-IPD80R1K4CEATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPD80R1K4CEATMA1
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3 | |
| Basisproduktnummer | IPD80R1 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.9A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 570 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 63W (Tc) | |
| Andere Namen | SP001130972 IPD80R1K4CEATMA1-ND IPD80R1K4CEATMA1TR IPD80R1K4CEATMA1CT IPD80R1K4CEATMA1DKR |
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