IGLD60R070D1AUMA3

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GANFET N-CH

NOVA-Teilenummer:

312-2299765-IGLD60R070D1AUMA3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

IGLD60R070D1AUMA3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-LSON-8-1
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Serie	CoolGaN™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	15A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-LDFN Exposed Pad
Vgs (Max)	-10V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	380 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.)	114W (Tc)
Andere Namen	448-IGLD60R070D1AUMA3DKR SP005557209 448-IGLD60R070D1AUMA3CT 448-IGLD60R070D1AUMA3TR