SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

NOVA-Teilenummer:

303-2249405-SI4900DY-T1-E3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI4900DY-T1-E3

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-SOIC
Basisproduktnummer	SI4900
Paket/Koffer	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
FET-Funktion	Logic Level Gate
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	665pF @ 15V
Leistung max	3.1W
Andere Namen	SI4900DY-T1-E3TR SI4900DY-T1-E3CT SI4900DYT1E3 SI4900DY-T1-E3DKR

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