SI4900DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
NOVA-Teilenummer:
303-2250828-SI4900DY-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI4900DY-T1-GE3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOIC | |
| Basisproduktnummer | SI4900 | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.3A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V | |
| FET-Funktion | Logic Level Gate | |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 665pF @ 15V | |
| Leistung max | 3.1W | |
| Andere Namen | SI4900DY-T1-GE3DKR SI4900DY-T1-GE3TR SI4900DY-T1-GE3CT SI4900DY-T1-GE3-ND |
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