SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

NOVA-Teilenummer:

303-2361132-SI3585CDV-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI3585CDV-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	6-TSOP
Basisproduktnummer	SI3585
Paket/Koffer	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	3.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 10V
FET-Funktion	Logic Level Gate
FET-Typ	N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	150pF @ 10V
Leistung max	1.4W, 1.3W
Andere Namen	SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR SI3585CDV-T1-GE3CT SI3585CDV-T1-GE3DKR

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