SI3590DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

NOVA-Teilenummer:

303-2247713-SI3590DV-T1-E3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI3590DV-T1-E3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	6-TSOP
Basisproduktnummer	SI3590
Paket/Koffer	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
FET-Funktion	Logic Level Gate
FET-Typ	N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	-
Leistung max	830mW
Andere Namen	SI3590DV-T1-E3CT SI3590DV-T1-E3TR SI3590DV-T1-E3DKR SI3590DVT1E3

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