SIZ322DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33

NOVA-Teilenummer:

303-2247575-SIZ322DT-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SIZ322DT-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 30A (Tc) 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-Power33 (3x3)
Basisproduktnummer	SIZ322
Paket/Koffer	8-PowerWDFN
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.35mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	20.1nC @ 10V
FET-Funktion	Standard
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	950pF @ 12.5V
Leistung max	16.7W (Tc)
Andere Namen	SIZ322DT-T1-GE3DKR SIZ322DT-T1-GE3CT SIZ322DT-T1-GE3TR

In stock Brauche mehr?

0,98640 $

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!