SIZ340BDT-T1-GE3
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
NOVA-Teilenummer:
303-2246911-SIZ340BDT-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIZ340BDT-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-Power33 (3x3) | |
| Basisproduktnummer | SIZ340 | |
| Paket/Koffer | 8-PowerWDFN | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V | |
| FET-Funktion | Standard | |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V | |
| Leistung max | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SIZ340BDT-T1-GE3DKR 742-SIZ340BDT-T1-GE3TR 742-SIZ340BDT-T1-GE3CT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- 74AHCT1G126QW5-7Diodes Incorporated
- SIZ340ADT-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIZ342DT-T1-GE3Vishay Siliconix
- 150066RG54050Würth Elektronik
- TCJD107M025R0055Kyocera AVX
- MAX17085BETL+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
- SIZ342ADT-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIZ346DT-T1-GE3Vishay Siliconix




