RN1107MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
NOVA-Teilenummer:
304-2062171-RN1107MFV,L3F(CT
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
RN1107MFV,L3F(CT
Standardpaket:
8,000
Technisches Datenblatt:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | VESM | |
| Basisproduktnummer | RN1107 | |
| Serie | - | |
| Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms | |
| Widerstand – Emitterbasis (R2) | 47 kOhms | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA | |
| Paket/Koffer | SOT-723 | |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased | |
| Leistung max | 150 mW | |
| Andere Namen | 264-RN1107MFVL3F(DKR RN1107MFV,L3F(CB 264-RN1107MFVL3F(CT 264-RN1107MFVL3F(TR |
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