2N5550

T-NPN SI- HIV AMP
NOVA-Teilenummer:
301-2039237-2N5550
Hersteller-Teile-Nr:
2N5550
Standardpaket:
1
Technisches Datenblatt:

Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)

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KategorieTransistoren – Bipolar (BJT) – Single
HerstellerNTE Electronics, Inc
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des Lieferanten TO-92 (TO-226)
Serie-
Paket/KofferTO-226-3, TO-92-3 Long Body
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA
Häufigkeit – Übergang300MHz
Strom – Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)140 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 600 mA
TransistortypNPN
Leistung max 625 mW
Andere Namen2368-2N5550

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