2N5550TAR
TRANS NPN 140V 600MA TO92-3
NOVA-Teilenummer:
301-2021500-2N5550TAR
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
2N5550TAR
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
| Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – Single | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-92-3 | |
| Basisproduktnummer | 2N5550 | |
| Serie | - | |
| Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V | |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA | |
| Häufigkeit – Übergang | 300MHz | |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) | |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 140 V | |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 600 mA | |
| Transistortyp | NPN | |
| Leistung max | 625 mW | |
| Andere Namen | 2N5550TARCT 2N5550TARTB 2N5550TAR-ND |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- MPSA06-APMicro Commercial Co
- KSC1845FTAonsemi
- ZTX455Diodes Incorporated
- 2N5551TAonsemi
- ZTX696BDiodes Incorporated
- 2N5551BUonsemi
- 2N5401YBUonsemi
- BC63916-D74Zonsemi
- BC63916-D27Zonsemi
- 2N5550NTE Electronics, Inc
- 2N3904TFRonsemi
- 2N5551 TIN/LEADCentral Semiconductor Corp





