HGT1S10N120BNST

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IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Número da pe?a NOVA:

310-2349947-HGT1S10N120BNST

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

HGT1S10N120BNST

Embalagem padr?o:

800

Ficha técnica:

IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
Categoria	Transistores - IGBTs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	D²PAK (TO-263)
Número do produto base	HGT1S10
Tipo de entrada	Standard
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.)	1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx)	35 A
Series	-
Tipo IGBT	NPT
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Energia de comutação	320µJ (on), 800µJ (off)
Taxa de Portão	100 nC
Td (ligado/desligado) @ 25°C	23ns/165ns
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Potência - Máx.	298 W
Condição de teste	960V, 10A, 10Ohm, 15V
Outros nomes	HGT1S10N120BNST-ND HGT1S10N120BNSTCT HGT1S10N120BNSTDKR HGT1S10N120BNSTTR