HGT1S10N120BNS

IGBT, 35A, 1200V, N-CHANNEL, TO-
Número da pe?a NOVA:
310-2351938-HGT1S10N120BNS
Número da pe?a do fabricante:
HGT1S10N120BNS
Embalagem padr?o:
1

IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Surface Mount TO-263AB

More Information
CategoriaTransistores - IGBTs - Simples
FabricanteFairchild Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-263AB
Número do produto base HGT1S10
Tipo de entradaStandard
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.)1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) 35 A
Series-
Tipo IGBTNPT
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Energia de comutação 320µJ (on), 800µJ (off)
Taxa de Portão100 nC
Td (ligado/desligado) @ 25°C 23ns/165ns
Pacote / EstojoTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Potência - Máx. 298 W
Condição de teste 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Outros nomesFAIFSCHGT1S10N120BNS
2156-HGT1S10N120BNS

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