IXYK100N65B3D1
IGBT
Número da pe?a NOVA:
310-2357279-IXYK100N65B3D1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXYK100N65B3D1
Embalagem padr?o:
25
Ficha técnica:
IGBT - 650 V 225 A 830 W Through Hole TO-264
| Categoria | Transistores - IGBTs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-264 | |
| Número do produto base | IXYK100 | |
| Tipo de entrada | Standard | |
| Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 650 V | |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 225 A | |
| Series | XPT™, GenX3™ | |
| Tipo IGBT | - | |
| Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 460 A | |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 70A | |
| Energia de comutação | 1.27mJ (on), 2mJ (off) | |
| Taxa de Portão | 168 nC | |
| Td (ligado/desligado) @ 25°C | 29ns/150ns | |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 37 ns | |
| Pacote / Estojo | TO-264-3, TO-264AA | |
| Potência - Máx. | 830 W | |
| Condição de teste | 400V, 50A, 3Ohm, 15V |
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