IXDN75N120
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
Número da pe?a NOVA:
306-2342756-IXDN75N120
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXDN75N120
Embalagem padr?o:
10
Ficha técnica:
IGBT Module NPT Single 1200 V 150 A 660 W Chassis Mount SOT-227B
| Categoria | Transistores - IGBTs - Módulos | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Chassis Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-227B | |
| Número do produto base | IXDN75 | |
| Entrada | Standard | |
| Configuração | Single | |
| Series | - | |
| Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 4 mA | |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 5.5 nF @ 25 V | |
| Termistor NTC | No | |
| Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 1200 V | |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 150 A | |
| Pacote / Estojo | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Tipo IGBT | NPT | |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 75A | |
| Potência - Máx. | 660 W |
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