FDN363N

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

N-CHANNEL POWER MOSFET

Número da pe?a NOVA:

312-2269103-FDN363N

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

FDN363N

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

N-Channel 100 V 1A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SuperSOT™-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Fairchild Semiconductor
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SuperSOT™-3
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	PowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.2 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	500mW (Tc)
Outros nomes	2156-FDN363N FAIFSCFDN363N