IPD50N04S408ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Número da pe?a NOVA:
312-2285413-IPD50N04S408ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPD50N04S408ATMA1
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3-313 | |
| Número do produto base | IPD50N04 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 17µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22.4 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1780 pF @ 6 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 46W (Tc) | |
| Outros nomes | IPD50N04S4-08-ND IPD50N04S408ATMA1CT IFEINFIPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1DKR IPD50N04S408ATMA1TR SP000711450 IPD50N04S4-08 2156-IPD50N04S408ATMA1 |
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