IXTP180N10T

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MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB

Número da pe?a NOVA:

312-2264865-IXTP180N10T

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IXTP180N10T

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 100 V 180A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	IXYS
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-220-3
Número do produto base	IXTP180
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Trench
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	151 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6900 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	480W (Tc)