RF4C050APTR
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Número da pe?a NOVA:
312-2272441-RF4C050APTR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RF4C050APTR
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | HUML2020L8 | |
| Número do produto base | RF4C050 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerUDFN | |
| Vgs (Máx.) | -8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) | |
| Outros nomes | RF4C050APTRDKR RF4C050APTRDKR-ND RF4C050APCT RF4C050AP RF4C050AP-ND T2198597 RF4C050APTRCT RF4C050APTRCT-ND RF4C050APDKR Q7763030AZ |
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