IPD50N06S409ATMA2

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MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31

Número da pe?a NOVA:

312-2295925-IPD50N06S409ATMA2

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPD50N06S409ATMA2

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

N-Channel 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3-11
Número do produto base	IPD50N06
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 34µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	47.1 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3785 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	71W (Tc)
Outros nomes	448-IPD50N06S409ATMA2CT 2156-IPD50N06S409ATMA2 448-IPD50N06S409ATMA2DKR IPD50N06S409ATMA2-ND SP001028662 448-IPD50N06S409ATMA2TR INFINFIPD50N06S409ATMA2