STB37N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2263405-STB37N60DM2AG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STB37N60DM2AG
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D²PAK (TO-263) | |
| Número do produto base | STB37 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 28A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 14A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 600 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 210W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-16105-6 497-16105-2 497-16105-1 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- MMBT3904,215Nexperia USA Inc.
- STB9NK80ZSTMicroelectronics
- STB42N65M5STMicroelectronics
- SIHB105N60EF-GE3Vishay Siliconix
- STB35N60DM2STMicroelectronics
- STB33N60M2STMicroelectronics
- NTHL082N65S3Fonsemi
- STB45N60DM2AGSTMicroelectronics
- SIHB100N60E-GE3Vishay Siliconix





