SSM3J325F,LF
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Número da pe?a NOVA:
312-2279352-SSM3J325F,LF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SSM3J325F,LF
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | S-Mini | |
| Número do produto base | SSM3J325 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVI | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 600mW (Ta) | |
| Outros nomes | SSM3J325FLFTR SSM3J325FLFCT SSM3J325F,LF(T SSM3J325F,LF(B SSM3J325FLF SSM3J325FLFDKR SSM3J325F,LF(A |
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