FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Número da pe?a NOVA:
312-2280775-FDMC2610
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDMC2610
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-MLP (3.3x3.3) | |
| Número do produto base | FDMC26 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | UniFET™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 960 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) | |
| Outros nomes | FDMC2610DKR FDMC2610TR 2156-FDMC2610-OS FDMC2610CT |
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