SI4842BDY-T1-GE3

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SOIC
Número do produto base	SI4842
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3650 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	3W (Ta), 6.25W (Tc)
Outros nomes	SI4842BDY-T1-GE3DKR SI4842BDY-T1-GE3TR SI4842BDY-T1-GE3CT SI4842BDYT1GE3

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