RDR005N25TL

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TSMT3
Número do produto base	RDR005
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.5 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	SC-96
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	250 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	70 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	540mW (Ta)
Outros nomes	RDR005N25TLCT RDR005N25TLTR RDR005N25TLDKR

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