STS10N3LH5
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Número da pe?a NOVA:
312-2275043-STS10N3LH5
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STS10N3LH5
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 10A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC | |
| Número do produto base | STS10 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | STripFET™ V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±22V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 475 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-10010-6 497-10010-1 497-10010-2 |
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