IXFH20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
Número da pe?a NOVA:
312-2278460-IXFH20N100P
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXFH20N100P
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
N-Channel 1000 V 20A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247AD (IXFH) | |
| Número do produto base | IXFH20 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HiPerFET™, Polar | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 20A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 570mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 126 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7300 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 660W (Tc) |
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