SCTW40N120G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Número da pe?a NOVA:
312-2299714-SCTW40N120G2V
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SCTW40N120G2V
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 278W (Tc) Through Hole HiP247™
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | HiP247™ | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 18 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1233 pF @ 800 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 278W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-SCTW40N120G2V |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SCT30N120STMicroelectronics
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronics
NTH4L040N120SC1onsemi- NVH4L160N120SC1onsemi
