NVMJS2D5N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2287945-NVMJS2D5N06CLTWG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NVMJS2D5N06CLTWG
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 31A (Ta), 164A (Tc) 3.9W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-LFPAK | |
| Número do produto base | NVMJS2 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 164A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 135µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-1205, 8-LFPAK56 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.9W (Ta), 113W (Tc) | |
| Outros nomes | NVMJS2D5N06CLTWGOS-ND NVMJS2D5N06CLTWGOSCT NVMJS2D5N06CLTWGOS NVMJS2D5N06CLTWGOSTR NVMJS2D5N06CLTWGOSDKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
NVMFS5C645NLAFT1Gonsemi
BTS721L1XUMA1Infineon Technologies
NVMYS3D3N06CLTWGonsemi
PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.
TLV1704AIPWRTexas Instruments
DMTH6002LPS-13Diodes Incorporated
IAUC100N04S6L020ATMA1Infineon Technologies
ECS-040-18-5PX-JES-TRECS Inc.
ADR01ARZ-REEL7Analog Devices Inc.
SQJ180EP-T1_GE3Vishay Siliconix
LM74800QDRRRQ1Texas Instruments
