SUD50P04-09L-E3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2281171-SUD50P04-09L-E3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SUD50P04-09L-E3
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | SUD50 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 24A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3W (Ta), 136W (Tc) | |
| Outros nomes | SUD50P04-09L-E3-ND SUD50P04-09L-E3CT SUD50P0409LE3 SUD50P04-09L-E3DKR SUD50P04-09L-E3TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SQD50P04-09L_GE3Vishay Siliconix
FDD5614Ponsemi
SUM110P08-11L-E3Vishay Siliconix- SQD50P04-13L_GE3Vishay Siliconix
SBRD10200TRSMC Diode Solutions- NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- SUD50P04-08-BE3Vishay Siliconix
RD3G07BATTL1Rohm Semiconductor
SQD40131EL_GE3Vishay Siliconix- SUD50P04-08-GE3Vishay Siliconix
IPD042P03L3GATMA1Infineon Technologies
SI2308BDS-T1-GE3Vishay Siliconix