NVLUS4C12NTAG
MOSFET N-CH 30V 6.8A 6UDFN
Número da pe?a NOVA:
312-2290275-NVLUS4C12NTAG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NVLUS4C12NTAG
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 6.8A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-UDFN (2x2) | |
| Número do produto base | NVLUS4 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6.8A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 3.3V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-UDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1172 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 630mW (Ta) | |
| Outros nomes | NVLUS4C12NTAGOSTR NVLUS4C12NTAGOSCT NVLUS4C12NTAG-ND NVLUS4C12NTAGOSDKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
TMUX6219DGKRQ1Texas Instruments
MAX17612AATB+Analog Devices Inc./Maxim Integrated
BAS16LT1Gonsemi
BAT54SDW-TPMicro Commercial Co
AAA3528SEEZGKQBKSKingbright
NTLUS4C12NTAGonsemi
DMP3026SFDE-7Diodes Incorporated
LTST-C171GKTLite-On Inc.
LFSPXO083828REELIQD Frequency Products
